BF1109WR和BF1109WR,115

对比图

型号 BF1109WR BF1109WR,115 BF1009SW

描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETsTrans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4Pin(3+Tab) CMPAK T/RRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-343 SOT-343-4 -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-343 SOT-343-4 -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

频率 - 800 MHz -

额定电流 - 30 mA -

耗散功率 - 200 mW -

漏源极电压(Vds) - 11 V -

漏源击穿电压 - ±11 V -

增益 - 20 dB -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

额定电压 - 11 V -