对比图
型号 APT8028JVR APT8030JVR IXFE39N90
描述 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4Pin SOT-227ISOPLUS N-CH 900V 34A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Surface Mount
引脚数 4 4 -
封装 SOT-227 SOT-227 ISOPLUS-227-4
上升时间 10 ns 14 ns 68 ns
输入电容(Ciss) 7700pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 13400pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 8 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) 500000 mW 450000 mW 580W (Tc)
额定电压(DC) - 800 V -
额定电流 - 25.0 A -
输入电容 - 7.90 nF -
栅电荷 - 510 nC -
漏源极电压(Vds) - 800 V 900 V
连续漏极电流(Ids) - 25.0 A 34A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 220 mΩ
极性 - - N-CH
耗散功率 - - 580 W
漏源击穿电压 - - 900 V
封装 SOT-227 SOT-227 ISOPLUS-227-4
长度 - - 38.23 mm
宽度 - - 25.42 mm
高度 - - 9.65 mm
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)