71V416S10BE和IDT71V416S10BEG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S10BE IDT71V416S10BEG 71V416S10BEG

描述 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 256K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9MM, BGA-48

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 CABGA-48 TFBGA-48 CABGA-48

存取时间 10 ns - 10 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3.3 V 3V ~ 3.6V

供电电流 - - 200 mA

存取时间(Max) - - 10 ns

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 9 mm - 9 mm

宽度 9 mm - 9 mm

高度 1.2 mm - 1.2 mm

封装 CABGA-48 TFBGA-48 CABGA-48

厚度 1.20 mm - 1.20 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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