BU921T和TIP152

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU921T TIP152 TIP151

描述 高电压功率耗散 HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATIONt-Npn Si-Hiv Darlingtont-Npn Si-Hiv Darlington

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics NTE Electronics

分类 分立器件分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-220 - -

极性 NPN - -

耗散功率 105000 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V - -

集电极最大允许电流 10A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 105000 mW - -

封装 TO-220 - -

产品生命周期 Unknown Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

ECCN代码 EAR99 - -

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