JANTX2N2904A和JANTXV2N2904A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N2904A JANTXV2N2904A 2N2904A

描述 PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR2N2904A Series 60V 600mA 800mW Through Hole PNP Silicon Transistor - TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-5-3 TO-205 TO-39-3

极性 PNP PNP -

耗散功率 0.6 W - 600 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @10mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 120 - -

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 600 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 600 mW 600 mW 600 mW

增益频宽积 - - 200 MHz

封装 TO-5-3 TO-205 TO-39-3

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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