IXFK48N55和IXFX44N55Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK48N55 IXFX44N55Q 4N55

描述 TO-264AA N-CH 550V 48ATrans MOSFET N-CH 550V 44A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 550V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

极性 N-CH - -

耗散功率 560W (Tc) 500 W -

漏源极电压(Vds) 550 V 550 V -

连续漏极电流(Ids) 48A - -

输入电容(Ciss) 8900pF @25V(Vds) 6400pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 560W (Tc) 500W (Tc) -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 120 mΩ -

漏源击穿电压 - 550 V -

上升时间 - 20 ns -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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