1N5542C和JAN1N5542C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5542C JAN1N5542C-1 1N554

描述 DO-35 24V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode,

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

耗散功率 400 mW - -

稳压值 24 V 24 V -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH -

产品生命周期 Active Active Active

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -

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