F6-24和FQB6N25

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 F6-24 FQB6N25 IRF624SPBF

描述 TRANSISTOR 4.4 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETPower Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3Pin

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology

分类

基础参数对比

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) - 250 V -

连续漏极电流(Ids) - 5.5A -

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

产品生命周期 Active Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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