FM360和IRFP360

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM360 IRFP360 IRFM360PBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PINTrans MOSFET N-CH Si 400V 23A 3Pin(3+Tab) TO-247ADPower Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-247-3 -

通道数 - 1 -

宽度 - 5.31 mm -

封装 - TO-247-3 -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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