对比图
型号 JANTX2N2880 JANTXV2N2880
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin,PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Solitron Devices Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
封装 TO-111 TO-210
引脚数 4 -
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 2V
额定功率(Max) - 2 W
工作温度(Max) 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW -
耗散功率 - -
封装 TO-111 TO-210
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 - -
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准
含铅标准 -
ECCN代码 - -