APT2012P3BT和XZRNI54W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT2012P3BT XZRNI54W KP-2012P3BT

描述 光电晶体管 Phototransistor Blue Trans 1 mAPhoto Transistor, 2 X 1.25MM, 1.1MM HEIGHT, SMD, 2PinPhototransistor Chip Silicon T/R

数据手册 ---

制造商 Kingbright SunLED Kingbright

分类 光电晶体管

基础参数对比

封装 0805 - -

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 2 - -

封装(公制) 2012 - -

封装 0805 - -

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.75 mm - -

封装(公制) 2012 - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

波长 940 nm - -

峰值波长 940 nm - -

耗散功率 100 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - -

额定功率(Max) 100 mW - -

下降时间 15 µs - -

下降时间(Max) 15000 ns - 3000 ns

上升时间(Max) 15000 ns - 3000 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 100 mW - 100 mW

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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