SA5230D和SA5230DR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SA5230D SA5230DR2G NE5230DR2

描述 低电压运算放大器 Low Voltage Operational AmplifierSA 系列 0.25 V/us 18 V 表面贴装 低压运算放大器 - SOIC-8低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

无卤素状态 - Halogen Free -

供电电流 1.1 mA 1.1 mA 1.1 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 -

增益频宽积 600 kHz 600 kHz 600 kHz

输入补偿电压 400 µV 400 µV 400 µV

输入偏置电流 40 nA 40 nA 40 nA

增益带宽 - 0.6 MHz -

耗散功率 500 mW - -

共模抑制比 85 dB - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 15 V - -

电源电压(Min) 1.8 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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