APT44F80L和IXFK34N80

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT44F80L IXFK34N80 APT8024LLLG

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETTO-264AA N-CH 800V 34ATO-264 N-CH 800V 31A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 44.0 A 34.0 A 31.0 A

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 1.135 kW 560 W 565W (Tc)

输入电容 - - 4.67 nF

栅电荷 - - 160 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 34.0 A 31.0 A

上升时间 75 ns 45 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 9330pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 560 W 565 W

下降时间 70 ns 40 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1135W (Tc) 560W (Tc) 565W (Tc)

漏源极电阻 210 mΩ 240 mΩ -

阈值电压 4 V - -

漏源击穿电压 800 V - -

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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