V30120S-E3/4W和V30120S-M3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V30120S-E3/4W V30120S-M3/4W V30120SHM3/4W

描述 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.43 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 ADiode Schottky 120V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeDiode Schottky 120V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 肖特基二极管功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

正向电压 1.1V @30A 1.28V @30A 1.28V @30A

正向电流 30 A - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 300 A - -

正向电压(Max) 820 mV - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.54 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 8.89 mm - -

工作温度 40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

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