对比图
型号 BSZ050N03LSGATMA1 FDMC8588DC IRFHM830TRPBF
描述 INFINEON BSZ050N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 1 VN沟道MOSFET PowerTrench® 25 V ， 40 A ， 5.7英里© N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩINFINEON IRFHM830TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TSDSON-8 DualCool-33-8 QFN-8
额定功率 50 W - 2.7 W
通道数 1 - -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0042 Ω 0.0036 Ω 0.003 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 41 W 2.7 W
阈值电压 1 V 1.2 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V
漏源击穿电压 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 16A 17A 21A
上升时间 4 ns 3 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @15V(Vds) 1695pF @13V(Vds) 2155pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 3 W 2.7 W
下降时间 3.6 ns 2 ns 9.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 41W (Tc) 2700 mW
长度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
宽度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
高度 1.1 mm 0.75 mm 1.05 mm
封装 PG-TSDSON-8 DualCool-33-8 QFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17