对比图
型号 BFM520 UPA802T-T1 BFM520,115
描述 双NPN宽带晶体管 Dual NPN wideband transistor，高频低噪声放大器NPN硅外延型晶体管 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORNXP BFM520,115 单晶体管 双极, 双NPN, 8 V, 9 GHz, 1 W, 70 mA, 120 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 6
封装 SC-88 - SOT-323-6
频率 - - 9000 MHz
针脚数 - - 6
极性 - - NPN
耗散功率 - - 1 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 8 V
增益 - - 13dB ~ 14.5dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 60 @20mA, 6V
额定功率(Max) - - 1 W
直流电流增益(hFE) - - 120
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 1 W
长度 - - 2.2 mm
宽度 - - 1.35 mm
高度 - - 1 mm
封装 SC-88 - SOT-323-6
材质 - - Silicon
工作温度 - - 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99