对比图
型号 IXGA16N60B2 IXGA20N120B3
描述 IGBT 600V 40A 150W TO263Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 1200 V
额定功率(Max) 150 W 180 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率 - 180000 mW
耗散功率(Max) - 180000 mW
长度 9.9 mm -
宽度 9.2 mm -
高度 4.5 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99