CY7C1423AV18-300BZXC和CY7C1423KV18-300BZC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1423AV18-300BZXC CY7C1423KV18-300BZC CY7C1423KV18-300BZXC

描述 36兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA TrayDDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 FBGA LBGA-165 FBGA-165

时钟频率 300MHz (max) - 300 MHz

位数 - 18 18

存取时间 300 µs - 0.45 ns

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

电源电压(DC) 1.80 V, 1.90 V (max) - -

内存容量 36000000 B - -

高度 - 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray, Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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