对比图
型号 PDTC144VT PDTC144VT,215
描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsPDTC144V series - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-236 SOT-23-3
极性 NPN NPN
耗散功率 - 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5mA, 5V
额定功率(Max) - 250 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 250 mW
高度 - 1 mm
封装 TO-236 SOT-23-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free