1N5518B和JANTXV1N5518B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5518B JANTXV1N5518B-1 NTE5005A

描述 DO-35 3.3V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWNTE ELECTRONICS  NTE5005A  齐纳二极管, 500mW, 3.3V, 轴向引线

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 400 mW - 500 mW

稳压值 3.3 V 3.3 V 3.3 V

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

击穿电压 - - 1.10 V

针脚数 - - 2

测试电流 - - 20 mA

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Each

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -

HTS代码 - - 85411000506

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