2SK3523-01R和FMV23N50E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK3523-01R FMV23N50E FMR23N50ES

描述 TO-3pF N-CH 500V 25ATO-220F(SLS) N-CH 500V 23AN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) FUJI (富士电机) FUJI (富士电机)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

封装 TO-3 TO-220 TO-3

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-3 TO-220 TO-3

长度 - 10 mm -

高度 - 15 mm -

产品生命周期 Active Active Active

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 25A 23A -

漏源极电阻 - 0.245 Ω -

耗散功率 - 130 W -

输入电容 - 3600pF @25V -

漏源击穿电压 - 500 V -

热阻 - 0.96℃/W (RθJC) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

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