对比图
型号 BSM150GAL120DN2 FD200R12KE3
描述 IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
数据手册 --
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
封装 - 62MM-1
安装方式 - Screw
引脚数 - 5
封装 - 62MM-1
长度 - 106.4 mm
宽度 - 61.4 mm
高度 - 30.9 mm
产品生命周期 Obsolete Active
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
额定功率 - 1040 W
工作温度 - -40℃ ~ 125℃