对比图
描述 NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTORTO-18 NPN 45V 0.1A
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-18 TO-18
耗散功率 0.3 W 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 45 V
最小电流放大倍数(hFE) 80 @1mA, 5V 80 @1mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW
极性 - NPN
集电极最大允许电流 - 0.1A
封装 TO-18 TO-18
材质 Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 - EAR99