PHP18NQ11T和PHP18NQ11T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP18NQ11T PHP18NQ11T,127

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETTrans MOSFET N-CH 110V 18A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

耗散功率 - 79 W

漏源极电压(Vds) 110 V 110 V

输入电容(Ciss) - 633pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 79 W

耗散功率(Max) - 79W (Tc)

额定电压(DC) 110 V -

额定电流 18.0 A -

极性 N-CH -

输入电容 633 pF -

栅电荷 21.0 nC -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A -

封装 TO-220 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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