AD8510BR和AD8510BRZ-REEL7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8510BR AD8510BRZ-REEL7 OPA131UA

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifiersTEXAS INSTRUMENTS  OPA131UA  运算放大器, 单路, 4 MHz, 1个放大器, 10 V/µs, 9V 至 36V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

供电电流 - 2.2 mA 1.5 mA

电路数 1 1 1

共模抑制比 - 86 dB 70 dB

输入电容 - 12.5 pF -

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 10.0 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 4 MHz

输入阻抗 - 1.25 TΩ -

输入补偿电压 - 80 µV 200 µV

输入偏置电流 - 25 pA 5 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 8 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) 86 dB 86 dB 70 dB

工作电压 - - 4.5V ~ 18V

通道数 1 - 1

针脚数 - - 8

输入补偿漂移 - - 2.00 µV/K

带宽 - - 4 MHz

过温保护 - - No

电源电压 - - 9V ~ 36V

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

军工级 - No -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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