CY14B512Q2-LHXI和CY14B512Q2A-SXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B512Q2-LHXI CY14B512Q2A-SXIT

描述 512千位(一个64 K × 8 )串行( SPI )的nvSRAM 512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM512千位(一个64 K ×8 ) SPI的nvSRAM无限的读,写和RECALL周期 512-Kbit (64 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 8 8

封装 DFN SOIC-8

安装方式 - Surface Mount

存取时间(Max) 9 ns 9 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率 - 1 W

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V

封装 DFN SOIC-8

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.b 3A991.b.2.a

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

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