MJE5740G和MJE5742G

对比图

型号 MJE5740G MJE5742G JE-5

描述 NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTSON SEMICONDUCTOR  MJE5742G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFEPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 2 W 80 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 400 V -

集电极最大允许电流 8A 8A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 100 W -

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 8.00 A -

输出电压 - 400 V -

输出电流 - 8 A -

针脚数 - 3 -

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2A, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 -

额定功率(Max) - 2 W -

直流电流增益(hFE) - 400 -

输入电压 - 8 V -

长度 10.28 mm 10.28 mm -

宽度 4.82 mm 4.82 mm -

高度 9.28 mm 15.75 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -