对比图
型号 BLF6G20S-45 BLF6G20LS-75,112 BLF6G20LS-110,112
描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B Bulk
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管
安装方式 - - Surface Mount
封装 - SOT-502 SOT-502-3
频率 - 1.93GHz ~ 1.99GHz 1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电流 - 18 A 29 A
漏源极电阻 - - 160 mΩ
阈值电压 - - 2 V
漏源击穿电压 - - 65 V
输出功率 - 29.5 W 25 W
增益 - 19 dB 19 dB
测试电流 - 550 mA 900 mA
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 65 ℃
长度 - - 20.7 mm
宽度 - - 9.91 mm
高度 - - 4.72 mm
封装 - SOT-502 SOT-502-3
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free