BZT52H-C6V2,115和MMSZ5234BT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C6V2,115 MMSZ5234BT1G BZD27C6V2P/G2

描述 NXP  BZT52H-C6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MMSZ5234BT1G  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °CVISHAY  BZD27C6V2P/G2  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-123F SOD-123-2 DO-219AB

额定电压(DC) - 6.20 V -

容差 ±5 % ±5 % -

额定功率 - 500 mW -

击穿电压 - 6.51 V -

针脚数 2 2 2

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

耗散功率 375 mW 500 mW 800 mW

测试电流 5 mA 20 mA 100 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V 6.2 V

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 375 mW 500 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW 500 mW -

长度 - 2.69 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.12 mm -

封装 SOD-123F SOD-123-2 DO-219AB

材质 - Plastic -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

温度系数 2.05 mV/K - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台