对比图
型号 STF20NF06L STF40NF06 STP36NF06FP
描述 N沟道60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFETN沟道60V - 0.024ohm - 23A - TO- 220FP的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 23A - TO-220FP STripFET II MOSFETSTMICROELECTRONICS STP36NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - - 25 W
通道数 - 1 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 28.0 mΩ 0.04 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 28W (Tc) 30 W 25 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 23.0 A 18.0 A
上升时间 30 ns 11 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 30 W 25 W
下降时间 6 ns 11 ns 9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 28W (Tc) 30W (Tc) 25000 mW
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 23.0 A -
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.3 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17