MMBT2907A和SMBT2907AE6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2907A SMBT2907AE6327HTSA1 MMBT2907A_D87Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2907A  单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 350 mW, 800 mA, 300 hFEInfineon SMBT2907AE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:100, 200(最小)MHz, 3引脚 SOT-23封装PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A 60 V PNP通用晶体管 PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A 60 V PNP General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -800 mA - -

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 350 mW 330 mW 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 350 mW 330 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 300 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.35 W 330 mW 350 mW

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.8A

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.9 mm 0.93 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 8541210075 - -

香港进出口证 NLR - -

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