BLT81和LT-8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLT81 LT-8 BLT81,115

描述 射频双极晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsUHF power transistor SC-73 4-PinNXP  BLT81,115  晶体管 双极-射频, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

引脚数 - - 3

最小电流放大倍数(hFE) 25 - 25 @300mA, 5V

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2000 mW

电源电压(DC) - - 7.50 V

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

耗散功率 - - 2 W

输出功率 - - 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 9.5 V

增益 - - 8 dB

最大电流放大倍数(hFE) - - 25

额定功率(Max) - - 2 W

直流电流增益(hFE) - - 25

工作温度(Min) - - -65 ℃

电源电压 - - 6 V

长度 6.7 mm - 6.7 mm

宽度 3.7 mm - 3.7 mm

高度 1.8 mm - 1.7 mm

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

产品生命周期 Unknown Not Recommended Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

材质 - - Silicon

工作温度 - - 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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