70T3519S133BCG和IDT70T3519S133BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S133BCG IDT70T3519S133BCI IDT70T3519S200BCG

描述 SRAMs (synchronous)HIGH -SPEED 2.5V一百二十八分之二百五十六/ 64K ×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEDual-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - 3A991 3A991

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