对比图
型号 IXTU5N50P IXTY5N50P NTE2398
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(3+Tab) TO-251Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(2+Tab) TO-252AANTE ELECTRONICS NTE2398 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 4.5A TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor NTE Electronics
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220
耗散功率 89W (Tc) 89 W 74 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 26 ns 26 ns 16.0 ns
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) -
下降时间 24 ns 24 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc) -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 1.4 Ω 1.5 Ω
阈值电压 - 5.5 V 4 V
漏源击穿电压 - 500 V 500V (min)
额定电压(DC) - - 500 V
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
连续漏极电流(Ids) - - 4.50 A
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220
长度 - 6.22 mm -
宽度 - 6.73 mm -
高度 - 2.38 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 End of Life Obsolete Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99
HTS代码 - - 85412900951