PCP1203-TD-H和PCP1208-TD-H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PCP1203-TD-H PCP1208-TD-H PCP1203-P-TD-H

描述 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管SOT-89 NPN 200V 0.7A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 30V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-243 SOT-89-3 SOT-89

引脚数 4 4 -

频率 500 MHz 120 MHz 500 MHz

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.3 W 3.5 W 1.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 1.5A 0.7A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @100mA, 2V 200 @100mA, 2V 200 @100mA, 2V

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W 1.3 W

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

增益频宽积 - 120 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 560 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.5 W 1300 mW -

封装 TO-243 SOT-89-3 SOT-89

长度 4.5 mm - -

宽度 2.5 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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