对比图
型号 IRFSL9N60A IRFSL9N60APBF IRFSL11N50APBF
描述 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
耗散功率 170W (Tc) 170 W 190W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 500 V
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 1426pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) 190W (Tc)
漏源极电阻 - 750 mΩ -
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - 170 W 190 W
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free