BAV70LT1G和BAV70T,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAV70LT1G BAV70T,115 BAV70DXV6T1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAV70LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mANXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。单片双开关二极管共阴极 Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-416 SOT-563-6

针脚数 3 3 -

正向电压 1.25 V 1.25V @150mA 1.25V @150mA

耗散功率 300 mW 170 mW 357 mW

反向恢复时间 6 ns 4 ns 6 ns

正向电流 200 mA 150 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA 4 A -

正向电压(Max) 1.25 V 1.25V @150mA 1.25V @150mA

正向电流(Max) 200 mA 215 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 - 150℃ (Max) -

额定电压(DC) 70.0 V - 70.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

电容 1.50 pF - -

无卤素状态 Halogen Free - -

负载电流 0.2 A - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

长度 2.9 mm 1.8 mm 1.6 mm

宽度 1.3 mm 0.9 mm 1.2 mm

高度 0.94 mm 0.85 mm 0.55 mm

封装 SOT-23-3 SOT-416 SOT-563-6

重量 - 0.004535924 kg -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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