ZTX755和ZTX755STOA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX755 ZTX755STOA 2SA965

描述 TRANS PNP 150V 1A MED E-LINETrans GP BJT PNP 150V 1A 3Pin E-Line T/RTRANS PNP 800mA 120V TO226-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 E-Line-3 TO-92 LSTM

安装方式 Through Hole Through Hole -

耗散功率(Max) - - 900 mW

额定电压(DC) -150 V -150 V -

额定电流 -1.00 A -1.00 A -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 5V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 E-Line-3 TO-92 LSTM

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended

包装方式 Bulk Tape, Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -

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