对比图
型号 IXFB38N100Q2 IXFB40N110P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 1.1kV 40A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 PLUS-264-3
通道数 1 1
漏源极电阻 - 260 mΩ
极性 N-CH N-CH
耗散功率 890 W 1.25 kW
漏源极电压(Vds) 1000 V 1100 V
漏源击穿电压 - 1100 V
连续漏极电流(Ids) 38A 40A
上升时间 - 55 ns
输入电容(Ciss) 13500pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds)
下降时间 - 54 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 890W (Tc) 1250W (Tc)
长度 20.29 mm 20.29 mm
宽度 5.31 mm 5.31 mm
高度 26.59 mm 26.59 mm
封装 TO-264-3 PLUS-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free