1N2999BE3和JANTXV1N2999B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N2999BE3 JANTXV1N2999B NTE5212A

描述 DO-4 56V 10W10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODESDO-4 56V 10W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

基础参数对比

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

引脚数 - - 2

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.5V @2A -

耗散功率 10 W 10 W 10 W

稳压值 56 V 56 V 56 V

额定功率(Max) - 10 W -

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

HTS代码 - - 85411000506

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