对比图
型号 FDD5670 FQB50N06LTM STD35NF06LT4
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 52.0 A 52.4 A 35.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.012 Ω 0.017 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 121 W 80 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 52.0 A 52.4 A 17.5 A
上升时间 12 ns 380 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 2739pF @15V(Vds) 1630pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W 3.75 W 80 W
下降时间 24 ns 145 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83 W 3.75W (Ta), 121W (Tc) 80W (Tc)
通道数 1 - -
输入电容 2.74 nF - 1700 pF
栅电荷 52.0 nC - -
长度 6.73 mm 10.67 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 9.65 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 4.83 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99