LM285D-1.2和LM285DR-1-2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285D-1.2 LM285DR-1-2 LT1004IDR-1-2

描述 微功耗电压基准二极管 MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODESTEXAS INSTRUMENTS  LM285DR-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, SOIC-8微功耗内置电压参考 MICROPOWER INTEGRATED VOLTAGE REFERENCES

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

容差 ±1 % ±1 % ±0.32 %

输出电压 1.24 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 -

输出电压(Max) - 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

精度 - 1 % ±4 mV

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

温度系数 ±80 ppm/℃ ±20 ppm/℃ ±20 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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