IRL3103S和IRL3103STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL3103S IRL3103STRLPBF IRL3103SPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 64AN沟道 30 V 94 W 33 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3INFINEON  IRL3103SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.012 Ω 0.012 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 94W (Tc) 94 W 83 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 64.0 A 64A 64A

输入电容(Ciss) 1650pF @25V(Vds) 1650pF @25V(Vds) 1650pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 94W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 64.0 A - -

产品系列 IRL3103S - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

上升时间 120 ns 120 ns -

下降时间 9.1 ns 9.1 ns -

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

长度 - 6.5 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 9.65 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 End of Life Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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