NTD25P03LT4G和STD25P03LT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD25P03LT4G STD25P03LT4G NTD25P03LG

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTD25P03LT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAKTrans MOSFET P-CH 30V 25A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R-25A,-30V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -25.0 A - -25.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 0.056 Ω - 0.051 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 75 W - 75 W

输入电容 - - 1.26 nF

栅电荷 - - 20.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±15.0 V - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A - 25.0 A

上升时间 37 ns - 37 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W - 75 W

下降时间 16 ns - 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 75 W - 75000 mW

漏源击穿电压 - 30 V -

针脚数 3 - -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.38 mm - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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