BC327-025G和BC327-25ZL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC327-025G BC327-25ZL1G BC327-25-AP

描述 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  BC327-25ZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 260 MHz, 625 mW, 800 mA, 160 hFETrans GP BJT PNP 45V 0.8A 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 260 MHz 260 MHz 260 MHz

耗散功率 1.5 W 625 mW 0.625 W

增益频宽积 - 260 MHz 260 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 630

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW 625 mW

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -

额定电流 -800 mA -800 mA -

极性 PNP PNP -

针脚数 - 3 -

集电极最大允许电流 - 0.8A -

直流电流增益(hFE) - 160 -

高度 5.33 mm 5.33 mm 4.7 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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