对比图
型号 IRFP054NPBF IRFP3306PBF IRFP054N
描述 N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。INFINEON IRFP3306PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0033 ohm, 20 V, 4 VTO-247AC N-CH 55V 81A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 130 W 220 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.012 Ω 0.0033 Ω 12.0 mΩ (max)
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 130 W 220 W 170W (Tc)
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 2900 pF 4520 pF -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 81A 160A 81.0 A
上升时间 66 ns 76 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 4520pF @50V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
下降时间 46 ns 77 ns 46 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 170W (Tc) 220W (Tc) 170W (Tc)
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 72.0 A
产品系列 - - IRFP054N
漏源击穿电压 55 V - 55.0V (min)
通道数 1 - -
额定功率(Max) 170 W - -
长度 15.9 mm 15.87 mm -
宽度 5.3 mm 5.31 mm -
高度 20.3 mm 20.7 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -