对比图
型号 ADR421AR ADR421AR-REEL7 ADR421ARZ-REEL7
描述 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
数据手册 ---
制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)
分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
额定电流 500 µA - -
容差 ±0.12 % - ±0.12 %
输入电压(DC) 18.0V (max) 18.0V (max) 18.0V (max)
输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V
输出电流 10 mA ≤10.0 mA 10 mA
供电电流 600 µA - 600 µA
通道数 1 1 1
输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V
输出电压(Min) 2.5 V - 2.5 V
输出电流(Max) 10 mA 10 mA 10 mA
工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
精度 ±0.12 % - ±0.12 %
输入电压 4.5V ~ 18V - 4.5V ~ 18V
输出电压(Max) - - 2.5 V
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
温度系数 ±10 ppm/℃ ±10.0 ppm/℃ ±10 ppm/℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - - EAR99