对比图
描述 ZTX857 系列 NPN 5 A 300 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTORSIP NPN 230V 1A
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Toshiba (东芝)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 TO-92-3 E-Line-3 SIP
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 230 V
集电极最大允许电流 3A 3A 1A
额定电压(DC) 300 V 300 V -
额定电流 5.00 A 5.00 A -
针脚数 3 - -
耗散功率 1.2 W 1.2 W -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 10V 100 @500mA, 10V -
额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W -
直流电流增益(hFE) 200 - -
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW -
增益频宽积 - 80 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 5V -
封装 TO-92-3 E-Line-3 SIP
长度 4.77 mm 4.77 mm -
宽度 2.41 mm 2.41 mm -
高度 4.01 mm 4.01 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -