ZTX857和ZTX857STZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX857 ZTX857STZ 2SC5174

描述 ZTX857 系列 NPN 5 A 300 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTORSIP NPN 230V 1A

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-92-3 E-Line-3 SIP

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 230 V

集电极最大允许电流 3A 3A 1A

额定电压(DC) 300 V 300 V -

额定电流 5.00 A 5.00 A -

针脚数 3 - -

耗散功率 1.2 W 1.2 W -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 10V 100 @500mA, 10V -

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W -

直流电流增益(hFE) 200 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW -

增益频宽积 - 80 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 5V -

封装 TO-92-3 E-Line-3 SIP

长度 4.77 mm 4.77 mm -

宽度 2.41 mm 2.41 mm -

高度 4.01 mm 4.01 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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