MAP6KE33A和MAP6KE33AE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE33A MAP6KE33AE3 MAP6KE33ATRE3

描述 28.2V 600W28.2V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18 T-18 -

最大反向电压(Vrrm) 28.2V 28.2V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 31.4 V 31.4 V -

封装 T-18 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台