IXTP160N085T和IXTQ160N085T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP160N085T IXTQ160N085T IXTA160N085T

描述 TO-220 N-CH 85V 160ATO-3P N-CH 85V 160AD2PAK N-CH 85V 160A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 360 W 360W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电压(Vds) 85 V 85 V 85 V

连续漏极电流(Ids) 160A 160A 160A

输入电容(Ciss) 6400pF @25V(Vds) 6400pF @25V(Vds) 6400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 6 mΩ - -

漏源击穿电压 85 V - -

上升时间 61 ns - -

额定功率(Max) 360 W - -

下降时间 36 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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